Theo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics có kế hoạch mở rộng nhà máy P3 của công ty tại thành phố Pyeongtaek của Hàn Quốc bằng việc nâng công suất sản xuất tấm silicon (wafer) 12 inch sử dụng trong chip bộ nhớ DRAM. Nhà máy P3 bắt đầu sản xuất chip nhớ flash NAND tiên tiến trong năm nay, đồng thời là cơ sở sản xuất chip lớn nhất của Samsung.

Ngoài ra, công ty cũng có kế hoạch sản xuất chip 4 nanomet theo thiết kế của khách hàng. Để đáp ứng các yêu cầu mở rộng, Samsung Electronics dự kiến bổ sung ít nhất 10 nhà máy quang khắc cực tím vào năm 2023.

Trước đó, hồi tháng 10, Samsung cho biết, công ty sẽ không tính tới phương án chủ động cắt giảm sản xuất vi xử lý, nhằm đáp ứng nhu cầu trung và dài hạn, mặc dù xu hướng giảm sản lượng toàn cầu đang ngày một gia tăng.

"Samsung tiếp tục kiên định với các kế hoạch đầu tư cơ sở hạ tầng ban đầu", Phó Chủ tịch điều hành mảng kinh doanh bộ nhớ của Samsung Han Jin-man nói.

Các chuyên gia và giới phân tích đánh giá những nỗ lực đầu tư của Samsung Electronics có thể giúp công ty mở rộng thị phần chip nhớ và hỗ trợ giá cổ phiếu khi nhu cầu bán dẫn hồi phục.

Động thái này của Samsung Electronics được cho là đang đi ngược lại với đối thủ, khi các nhà sản xuất chip khác liên tục thu hẹp quy mô đầu tư trong bối cảnh nhu cầu sụt giảm và nguồn cung chip dư thừa.

Nhà sản xuất bộ nhớ Micron Technology của Mỹ vừa tuyên bố rằng, công ty sẽ xem xét và điều chỉnh các khoản đầu tư trong năm tài khoá 2023, giảm xuống chỉ còn khoảng 7 đến 7,5 tỷ USD, so với con số 12 tỷ USD của năm 2022. Đồng thời, gợi mở về khả năng cắt giảm đầu tư đáng kể vào năm 2024.

Cùng với đó, tháng 10 vừa qua, TSMC cũng thông báo cắt giảm ít nhất 10% ngân sách đầu tư hằng năm và bày tỏ sự lo ngại với những lưu ý, cảnh báo nhu cầu của thị trường bán dẫn toàn cầu trong thời gian tới.